A simulation analysis of FIBL in decananometer double-gate MOSFETs with high-Κ dielectrics - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2005

A simulation analysis of FIBL in decananometer double-gate MOSFETs with high-Κ dielectrics

Daniela Munteanu
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00145186

Soumis le : mercredi 9 mai 2007-10:12:54

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:06:52

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Dates et versions

hal-00145186 , version 1 (09-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145186 , version 1

Citer

Daniela Munteanu. A simulation analysis of FIBL in decananometer double-gate MOSFETs with high-Κ dielectrics. Journal of Non-Crystalline Solids, 2005, Vol.351, pp.1897. ⟨hal-00145186⟩

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