Performance and Physics of sub-50nm Strained Si on Si1-xGex-On-Insulator (SGOI) nMOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

Performance and Physics of sub-50nm Strained Si on Si1-xGex-On-Insulator (SGOI) nMOSFETs

F. Andrieu
  • Fonction : Auteur
T. Ernst
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
  • Fonction : Auteur
O. Rozeau
  • Fonction : Auteur
Y. Bogumilowicz
  • Fonction : Auteur
J.-M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
L. Brévard
  • Fonction : Auteur
A. Toffoli
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
  • Fonction : Auteur
B. Ghyselen
  • Fonction : Auteur
F. Fournel
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145116 , version 1 (07-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145116 , version 1

Citer

F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, O. Rozeau, Y. Bogumilowicz, et al.. Performance and Physics of sub-50nm Strained Si on Si1-xGex-On-Insulator (SGOI) nMOSFETs. Solid-State Electronics, 2006, 50, pp.566. ⟨hal-00145116⟩

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