Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2006
Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00145116
Soumis le : lundi 7 mai 2007-18:36:30
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:55
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00145116 , version 1
Citer
F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, O. Rozeau, Y. Bogumilowicz, et al.. Performance and Physics of sub-50nm Strained Si on Si1-xGex-On-Insulator (SGOI) nMOSFETs. Solid-State Electronics, 2006, 50, pp.566. ⟨hal-00145116⟩
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