Electron mobility in quasi ballistic Si MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145115 , version 1 (07-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145115 , version 1

Citer

J. Łusakowski, W. Knap, Y. Meziani, J.P. Cesso, A. El Fatimy, et al.. Electron mobility in quasi ballistic Si MOSFETs. Solid-State Electronics, 2006, 50, pp.632. ⟨hal-00145115⟩

Collections

UGA CNRS
43 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More