Degradation of floating gate memory reliability by few electron phenomena - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2006

Degradation of floating gate memory reliability by few electron phenomena

G. Molas
  • Fonction : Auteur
D. Deleruyelle
B. Desalvo
  • Fonction : Auteur
M. Gely
  • Fonction : Auteur
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145101 , version 1 (07-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145101 , version 1

Citer

G. Molas, D. Deleruyelle, B. Desalvo, Gérard Ghibaudo, M. Gely, et al.. Degradation of floating gate memory reliability by few electron phenomena. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.2610. ⟨hal-00145101⟩

Collections

UGA CNRS
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