Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2006
Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00145101
Soumis le : lundi 7 mai 2007-17:54:59
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:23:39
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00145101 , version 1
Citer
G. Molas, D. Deleruyelle, B. Desalvo, Gérard Ghibaudo, M. Gely, et al.. Degradation of floating gate memory reliability by few electron phenomena. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.2610. ⟨hal-00145101⟩
41
Consultations
0
Téléchargements