Si-C bonding in films prepared by heterofullerene deposition - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2002

Si-C bonding in films prepared by heterofullerene deposition

P. Mélinon
  • Fonction : Auteur
X. Blase
  • Fonction : Auteur
P. Kéghélian
  • Fonction : Auteur
A. Perez
  • Fonction : Auteur
C. Ray
  • Fonction : Auteur
Bernard Champagnon
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 877445

Résumé

We probed the electronic structure of mixed silicon-carbon SixC1-x (x=0.12) films prepared from free silicon-doped fullerenes (heterofullerenes) deposited on silver thin film. The reactivity towards oxygen is also discussed. X-ray photoemission and Auger spectroscopies suggest that electron transfer from silicon to carbon atom is lower than in tetrahedral SiC compounds. Raman spectroscopy reveals a graphitization of the film associated with the formation of Si-C bonding under strong laser irradiation.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00142463 , version 1 (19-04-2007)

Identifiants

Citer

P. Mélinon, X. Blase, P. Kéghélian, A. Perez, C. Ray, et al.. Si-C bonding in films prepared by heterofullerene deposition. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 65 (12), pp.125321. ⟨10.1103/PhysRevB.65.125321⟩. ⟨hal-00142463⟩
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