Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's on silicon substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's on silicon substrate

Laurent Bary
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 941895
E. Angeli
  • Fonction : Auteur
Abdelali Rennane
  • Fonction : Auteur
Geoffroy Soubercaze-Pun
  • Fonction : Auteur
Jean-Guy Tartarin
Y. Cordier
S. Delage
  • Fonction : Auteur
Robert Plana
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 843541
Jacques Graffeuil
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 837889
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141967 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141967 , version 1

Citer

Laurent Bary, E. Angeli, Abdelali Rennane, Geoffroy Soubercaze-Pun, Jean-Guy Tartarin, et al.. Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's on silicon substrate. 2004, pp.286-295. ⟨hal-00141967⟩
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