Numerical modeling and experimental verification of modified PVT crystal growth of SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2007

Numerical modeling and experimental verification of modified PVT crystal growth of SiC

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141561 , version 1 (13-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141561 , version 1

Citer

P. Wellmann, M. Pons. Numerical modeling and experimental verification of modified PVT crystal growth of SiC. Journal of Crystal Growth, 2007, 303, pp.337-341. ⟨hal-00141561⟩

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