Measurement of low Schottky barrier heights applied to metallic source/drain metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2004

Measurement of low Schottky barrier heights applied to metallic source/drain metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

G. Larrieu
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Dates et versions

hal-00140973 , version 1 (25-05-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00140973 , version 1

Citer

Emmanuel Dubois, G. Larrieu. Measurement of low Schottky barrier heights applied to metallic source/drain metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Journal of Applied Physics, 2004, 96, pp.729-737. ⟨hal-00140973⟩
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