40 nm PtSi-based Schottky-barrier p-MOSFETs with a midgap tungsten gate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

40 nm PtSi-based Schottky-barrier p-MOSFETs with a midgap tungsten gate

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138697 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138697 , version 1

Citer

Emmanuel Dubois, G. Larrieu. 40 nm PtSi-based Schottky-barrier p-MOSFETs with a midgap tungsten gate. 7th Symposium Diagnostics & Yield Advanced Silicon Devices and Technologies for ULSI Era, 2006, Warsaw, Poland. ⟨hal-00138697⟩
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