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Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Atomistic simulation of solid phase epitaxy of amorphous silicon : influence of the interatomic potential on the recristallisation velocity

V. Cuny
  • Fonction : Auteur
E. Lecat
  • Fonction : Auteur
E. Lampin
  • Fonction : Auteur
A. Pakfar
  • Fonction : Auteur
C. Tavernier
  • Fonction : Auteur
H. Jaouen
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138695 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138695 , version 1

Citer

Christophe Krzeminski, V. Cuny, E. Lecat, E. Lampin, A. Pakfar, et al.. Atomistic simulation of solid phase epitaxy of amorphous silicon : influence of the interatomic potential on the recristallisation velocity. Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2006, Sub-Second Rapid Thermal Processing for Device Fabrication, 2006, Moscone West, San-Franscico, CA, United States. ⟨hal-00138695⟩
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