High current drive in ultra-short impact ionization MOS (I-MOS) devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

High current drive in ultra-short impact ionization MOS (I-MOS) devices

S. Monfray
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
P. Bouillon
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138690 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138690 , version 1

Citer

C. Charbuillet, S. Monfray, Emmanuel Dubois, P. Bouillon, T. Skotnicki. High current drive in ultra-short impact ionization MOS (I-MOS) devices. 2006, paper 6.2. ⟨hal-00138690⟩
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