Structural and electrical properties of Ge nanocrystals embedded in SiO2 by ion implantation and annealing - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2005
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hal-00134846 , version 1 (05-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00134846 , version 1

Citer

Sébastien Duguay, J.J. Grob, A. Slaoui, Y. Le Gall, M. Amann-Liess. Structural and electrical properties of Ge nanocrystals embedded in SiO2 by ion implantation and annealing. Journal of Applied Physics, 2005, 97, pp.104330_1-5. ⟨hal-00134846⟩
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