Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2005
Marie-Anne Jung : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00134846
Soumis le : lundi 5 mars 2007-15:09:49
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00134846 , version 1
Citer
Sébastien Duguay, J.J. Grob, A. Slaoui, Y. Le Gall, M. Amann-Liess. Structural and electrical properties of Ge nanocrystals embedded in SiO2 by ion implantation and annealing. Journal of Applied Physics, 2005, 97, pp.104330_1-5. ⟨hal-00134846⟩
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