Modeling of the Stark effect in strained n-type Ge0.6Si0.4/Si/Ge0.6Si0.4 resonat tunneling diodes with graded electrostatic GexSi1-x (0.25 - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2006

Modeling of the Stark effect in strained n-type Ge0.6Si0.4/Si/Ge0.6Si0.4 resonat tunneling diodes with graded electrostatic GexSi1-x (0.25

N. Sfina
  • Fonction : Auteur
Nasrallah S. Abdi-Ben
  • Fonction : Auteur
J.L. Lazzari
Centre de recherche de la matière condensée et des nanosciences
CV
M. Said
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00133705

Soumis le : mardi 27 février 2007-14:52:26

Dernière modification le : jeudi 24 août 2023-15:42:36

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00133705 , version 1 (27-02-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00133705 , version 1

Citer

N. Sfina, Nasrallah S. Abdi-Ben, J.L. Lazzari, M. Said. Modeling of the Stark effect in strained n-type Ge0.6Si0.4/Si/Ge0.6Si0.4 resonat tunneling diodes with graded electrostatic GexSi1-x (0.25. Materials Science in Semiconductor Processing, 2006, 9 (4-5), pp.737-740. ⟨hal-00133705⟩

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