Article Dans Une Revue
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Année : 2006
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https://hal.science/hal-00127847
Soumis le : mardi 30 janvier 2007-09:10:51
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00127847 , version 1
Citer
A. Moriani, F. Cleri. Point-defect recombination efficiency at grain boundaries in irradiated SiC. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2006, 73, pp.214113-1-9. ⟨hal-00127847⟩
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