Inelastic electron tunnelling in metal/alkylsilane/silicon junctions - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Inelastic electron tunnelling in metal/alkylsilane/silicon junctions

C. Petit
  • Fonction : Auteur
G. Salace
  • Fonction : Auteur
S. Lenfant
CV
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00127140

Soumis le : lundi 29 janvier 2007-11:13:09

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00127140 , version 1 (29-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127140 , version 1

Citer

C. Petit, G. Salace, S. Lenfant, D. Vuillaume. Inelastic electron tunnelling in metal/alkylsilane/silicon junctions. Journée Thématique du Club EEA Nanoélectronique, 2006, Lille, France. ⟨hal-00127140⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
17 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More