Amplificateur distribué en technologie HEMT métamorphique sur GaAs à large bande passante et faible bruit pour récepteur optoélectronique à 40 Gbits/s - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Amplificateur distribué en technologie HEMT métamorphique sur GaAs à large bande passante et faible bruit pour récepteur optoélectronique à 40 Gbits/s

G. Wolf
  • Fonction : Auteur
S. Demichel
  • Fonction : Auteur
R. Leblanc
  • Fonction : Auteur
F. Blache
  • Fonction : Auteur
R. Lefèvre
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00127058 , version 1 (29-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127058 , version 1

Citer

G. Wolf, H. Happy, S. Demichel, R. Leblanc, F. Blache, et al.. Amplificateur distribué en technologie HEMT métamorphique sur GaAs à large bande passante et faible bruit pour récepteur optoélectronique à 40 Gbits/s. Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00127058⟩
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