A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2006

A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs

R. Rengel
  • Fonction : Auteur
M.J. Martin
  • Fonction : Auteur
T. Gonzalez
J. Mateos
D. Pardo
  • Fonction : Auteur
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00126521 , version 1 (25-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00126521 , version 1

Citer

R. Rengel, M.J. Martin, T. Gonzalez, J. Mateos, D. Pardo, et al.. A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.523-532. ⟨hal-00126521⟩
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