Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2006
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00126521
Soumis le : jeudi 25 janvier 2007-11:19:36
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00126521 , version 1
Citer
R. Rengel, M.J. Martin, T. Gonzalez, J. Mateos, D. Pardo, et al.. A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.523-532. ⟨hal-00126521⟩
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