First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microwave and Optical Technology Letters Année : 2005

First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology

M. Werquin
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
J.C. Pesant
  • Fonction : Auteur
Z. Bougrioua
Marie Germain
Jean-Claude de Jaeger
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00126457 , version 1 (25-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00126457 , version 1

Citer

M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, et al.. First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology. Microwave and Optical Technology Letters, 2005, 46, pp.311-315. ⟨hal-00126457⟩
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