Article Dans Une Revue
Microwave and Optical Technology Letters
Année : 2005
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https://hal.science/hal-00126457
Soumis le : jeudi 25 janvier 2007-09:44:28
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00126457 , version 1
Citer
M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, et al.. First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology. Microwave and Optical Technology Letters, 2005, 46, pp.311-315. ⟨hal-00126457⟩
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