Microwave and noise performance of SiGe BiCMOS HBT under cryogenic temperatures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2005

Microwave and noise performance of SiGe BiCMOS HBT under cryogenic temperatures

S. Pruvost
  • Fonction : Auteur
S. Delcourt
  • Fonction : Auteur
I. Telliez
  • Fonction : Auteur
M. Laurens
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
A. Monroy
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00125159 , version 1 (18-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00125159 , version 1

Citer

S. Pruvost, S. Delcourt, I. Telliez, M. Laurens, Nour Eddine Bourzgui, et al.. Microwave and noise performance of SiGe BiCMOS HBT under cryogenic temperatures. IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.105-108. ⟨hal-00125159⟩
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