Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2005
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00125159
Soumis le : jeudi 18 janvier 2007-10:58:53
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00125159 , version 1
Citer
S. Pruvost, S. Delcourt, I. Telliez, M. Laurens, Nour Eddine Bourzgui, et al.. Microwave and noise performance of SiGe BiCMOS HBT under cryogenic temperatures. IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.105-108. ⟨hal-00125159⟩
Collections
18
Consultations
0
Téléchargements