Materials science issues for the fabrication of naocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Materials science issues for the fabrication of naocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation

Alain Claverie
Caroline Bonafos
Gérard Benassayag
Sylvie Schamm-Chardon
Nikolay Cherkashin
Vincent Paillard
P. Dimitrakis
  • Fonction : Auteur
E. Kapetanakis
  • Fonction : Auteur
D. Tsoukalas
  • Fonction : Auteur
T. Muller
  • Fonction : Auteur
B. Schmidt
  • Fonction : Auteur
K.H. Heinig
  • Fonction : Auteur
M. Perego
  • Fonction : Auteur
M. Fanciulli
  • Fonction : Auteur
P. Normand
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00115744 , version 1 (23-11-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00115744 , version 1

Citer

Alain Claverie, Caroline Bonafos, Gérard Benassayag, Sylvie Schamm-Chardon, Nikolay Cherkashin, et al.. Materials science issues for the fabrication of naocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation. 2nd International Conference on Diffusion in Solids and Liquids, DSL-2006, 2006, Aveiro, Portugal. ⟨hal-00115744⟩

Collections

CNRS SITE-ALSACE
20 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More