SiOxFy passivation layer in silicon cryoetching - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00098638 , version 1 (25-09-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00098638 , version 1

Citer

Xavier Mellhaoui, Rémi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. SiOxFy passivation layer in silicon cryoetching. Journal of Applied Physics, 2005, 98, pp.104901-10. ⟨hal-00098638⟩
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