Control of the weak phosphorus doping in polysilicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00085681 , version 1 (13-07-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00085681 , version 1

Citer

Mariem Zaghdoudi, M. Abdelkrim, M. Fathallah, Tayeb Mohammed-Brahim, France Le Bihan. Control of the weak phosphorus doping in polysilicon. Materials Science Forum, 2005, 480-481, pp.305-308. ⟨hal-00085681⟩
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