Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2002
Véronique Gysembergh : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00018489
Soumis le : vendredi 3 février 2006-10:44:07
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:26
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00018489 , version 1
Citer
D. Vignaud, Jean-Francois Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density. Applied Physics Letters, 2002, 80, pp.4151. ⟨hal-00018489⟩
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