Communication Dans Un Congrès
Année : 2015
Hervé Peyre : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02025347
Soumis le : mardi 19 février 2019-16:05:02
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02025347 , version 1
Citer
Véronique Soulière, Kassem Alassaad, François Cauwet, Hervé Peyre, Thomas Kups, et al.. Ge Addition during 4H-SiC Epitaxial Growth by CVD: Mechanism of Incorporation. 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2014, Grenoble, France. pp.115-120. ⟨hal-02025347⟩
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