Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs growth on (001) Silicon - Institut d'Electronique et des Systèmes
Poster De Conférence Année : 2024

Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs growth on (001) Silicon

Résumé

In this work, we study antiphase boundaries (APB) suppression during the growth of GaAs on Si (001) substrates. The kinetics of anisotropic growth is described by Kinetic Monte-Carlo (KMC) simulations that reveal atomic details of the growth.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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Jean-Baptiste Rodriguez  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04738181

Soumis le : mardi 15 octobre 2024-15:30:58

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-16:14:04

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Dates et versions

hal-04738181 , version 1 (15-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04738181 , version 1

Citer

Milan Silvestre, Audrey Gilbert, Stefano Calcaterra, Giovanni Isella, Jean-Baptiste Rodriguez, et al.. Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs growth on (001) Silicon. Journées Nano, Micro et Optoélectronique (JNMO 2024), Oct 2024, Sète, France. . ⟨hal-04738181⟩

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