Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs growth on (001) Silicon - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2024

Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs growth on (001) Silicon

Résumé

In this work, we study antiphase boundaries (APB) suppression during the growth of GaAs on Si (001) substrates. The kinetics of anisotropic growth is described by Kinetic Monte-Carlo (KMC) simulations that reveal atomic details of the growth.
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Dates et versions

hal-04738181 , version 1 (15-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04738181 , version 1

Citer

Milan Silvestre, Audrey Gilbert, Stefano Calcaterra, Giovanni Isella, Jean-Baptiste Rodriguez, et al.. Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs growth on (001) Silicon. Journées Nano, Micro et Optoélectronique (JNMO 2024), Oct 2024, Sète, France. . ⟨hal-04738181⟩
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