Electron-phonon interactions around antiphase boundaries in InGaP/SiGe/Si : structural and optical characterizations - Foton - Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2019

Electron-phonon interactions around antiphase boundaries in InGaP/SiGe/Si : structural and optical characterizations

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02882424 , version 1 (26-06-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02882424 , version 1

Citer

Lipin Chen, Rozenn Piron, Oliver Skibitzki, Yoan Léger, Christophe Levallois, et al.. Electron-phonon interactions around antiphase boundaries in InGaP/SiGe/Si : structural and optical characterizations. International Symposium : 20th Anniversary of LPQM, Apr 2019, Cachan, France. ⟨hal-02882424⟩
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