Physique des vallées dans les MOSFETs silicium - Archive ouverte HAL
Hdr Année : 2019

Physique des vallées dans les MOSFETs silicium

Fichier non déposé

Dates et versions

tel-04734387 , version 1 (14-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : tel-04734387 , version 1

Citer

Vincent Renard. Physique des vallées dans les MOSFETs silicium. Physique [physics]. Université Grenoble - Alpes, 2019. ⟨tel-04734387⟩
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