L’informatique quantique promet un impact social important en accélérant les avancées dans des domaines tels que la recherche médicale, l’ingénierie des matériaux et la modélisation climatique. Un défi technologique important de mise à l’échelle des bits quantiques (qubits) doit cependant être surmonté pour accéder à ces applications. Une telle mise à l’échelle requiert de réduire le nombre d’entrées/sorties entre l’électronique classique de contrôle et les qubits présents dans le cryostat, notamment dans le cadre des qubits sur silicium manipulés par des grilles électrostatiques. Chaque grille doit être connectée à l’électronique de contrôle par un câble sortant du cryostat limitant la taille des systèmes. Pour répondre aux exigences de cette mise à l’échelle, cette thèse de doctorat propose un concept d’électronique de contrôle froide basé des mémoires résistives (memristors) à base de TiOx. Ces composants présentent les avantages d’être non-volatile et d’avoir une résistance modifiable de manière analogique. La compatibilité avec les températures cryogéniques de ces memristors est démontrée jusqu’à 1.2 K. Ils présentent une programmation entièrement analogique sur une plage de résistance de 10 kΩ à 100 kΩ notamment permis par la mise en évidence du procédé de reforming cryogénique. Le concept de source de tension DC à base de memristors consiste à placer plusieurs memristors en parallèle dans la boucle de rétroaction d’un amplificateur transimpédance. Ainsi en changeant la résistance des memristors, le gain de l’amplificateur est changé et la tension de sortie est modifiée. La viabilité de ce concept est ensuite étudiée en réalisant des simulations basées sur des données expérimentales de caractérisations électriques de memristors TiOx. Le concept de source de tension DC à base de memristors démontre une plage de tension supérieure à 1 V et une résolution en tension de 1 mV répondant ainsi aux critères de polarisation pour les boîtes quantiques. La simulation du contrôle d’une boîte quantique par une source de tension DC à base de memristors est aussi réalisée et démontre un diagramme de stabilité de charges peu bruité. Finalement, un prototype est fabriqué avec un amplificateur commercial, des memristors TiOx et des commutateurs analogiques. Tout d’abord, les caractéristiques électriques de l’amplificateur commercial sont étudiées de 1.2 K à 300 K validant ainsi sa compatibilité avec les températures cryogéniques. Le prototype est testé à 1.2 K et démontre des balayages en tension de 250 mV pour une résolution de 10 mV avec 2 memristors fonctionnels dans la boucle de rétroaction de l’amplificateur. Ces caractéristiques sont insuffisantes pour la polarisation de boîtes quantiques mais permettent de valider expérimentalement le concept de source de tension DC. Ce prototype peut être mis à l’échelle en co-intégrant sur silicium l’amplificateur et des mémoires émergentes alternatives comme les jonctions tunnel ferroélectriques (FTJ). La mise à l’échelle est réalisée par simulation de circuits et permet de prédire l’intégration d’environ 300000 sources de tension DC à base de FTJs pavant ainsi la voie vers l’informatique quantique sur silicium à grande échelle.