L'intégration de l'optoélectronique hybride consiste à assembler plusieurs appareils, fabriqués séparément en utilisant des processus différents et potentiellement non compatibles, sur un plate-forme commune pour réaliser un système hétérogène fonctionnel. Ce concept peut être appliqué pour une cellule solaire à base de nitrure III (III-N) rentable et haute performance applications. Les alliages InGaN présentent de nombreuses propriétés photovoltaïques favorables telles que absorption à large bande avec une bande interdite réglable (0,7 eV - 3,4 eV), rayonnement supérieur résistance, grands coefficients d'absorption et vitesses de saturation élevées. Théoriquement, une efficacité supérieure à 40% peut être obtenue par une cellule solaire multi-jonction composée de quatre sous-cellules InGaN avec un contenu In différent. Cependant, jusqu'à présent, le grand décalage de réseau entre InN et GaN, il est difficile expérimentalement de cultiver de bonne qualité, élevé Films InGaN en composition et entrave actuellement la réalisation d'un tout InGaN cellule solaire multi-jonction. Ainsi, une utilisation pratique des cellules solaires III-N pourrait être leur combinaison avec des technologies de cellules solaires matures basées sur Si et GaAs. Dans cette thèse, nous ont considérablement progressé dans le développement de ces dispositifs hybrides en développant un méthode de transfert pour les cellules solaires InGaN. Nous démontrons l'épitaxie de Van der Waal à l'échelle de la tranche et fabrication de cellules solaires à base d'InGaN sur 2D h-BN, la libération mécanique du grâce au Van-Waal stratifié collé h-BN et leur transfert sur verre sur miroir diélectrique en tant que réflecteur arrière avec résultats de l'appareil et performances améliorées. Le miroir diélectrique transmet une longueur d'onde supérieure à 500 nm permettant le fonctionnement de Cellule solaire tandem InGaN / Si par exemple.