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Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1997

Gallium Crystal Chemistry in Synthetic Goethites

F. Martin
  • Fonction : Auteur
Ph. Ildefonse
  • Fonction : Auteur
J. Hazemann
P. Mathe
  • Fonction : Auteur
Y. Noack
O. Grauby
D. Beziat
  • Fonction : Auteur
Ph. de Parseval
  • Fonction : Auteur

Résumé

The distribution of Ga and Al atoms within the octahedral sheets of synthetic goethites has been investigated by XRD and Ga K-edge XANES and EXAFS spectroscopies. XRD results indicate a solid solution between goethite (α-FeOOH) and GaGoe4 (40 mol% of Ga). The XANES data indicate the presence of 6Ga in the solid solution. The fitting procedures for EXAFS spectra show no evidence of preferential octahedral site substitutions for Ga.

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jpa-00255326 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

F. Martin, Ph. Ildefonse, J. Hazemann, P. Mathe, Y. Noack, et al.. Gallium Crystal Chemistry in Synthetic Goethites. Journal de Physique IV Proceedings, 1997, 7 (C2), pp.C2-821-C2-822. ⟨10.1051/jp4:1997247⟩. ⟨jpa-00255326⟩

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