Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1995

Thermochemical and Mass Transport Modelling of the Chemical Vapour Deposition of Si1-xGex

M. Pons
E. Blanquet
C. Bernard
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H. Rouch
  • Fonction : Auteur
J. Dedulle
  • Fonction : Auteur
R. Madar
  • Fonction : Auteur

Résumé

The purpose of this article is to present, for the chemical vapour deposition process, mass transport rnodels with near local thermochemical equilibrium imposed in the gas-phase and at the deposition surface. The theoretical problems arising from the linking of the two approaches, thermodynamics and mass transport, are shown and a solution procedure is proposed. As an illustration, selected results of thermodynamic and mass transport analysis and of the coupled approach showed that, for the deposition of Si1-xGex solid solution at 1300 K (system Si-Ge-CI-H-Ar), the themodynamic heterogeneous stability of the reactive gases and the thermal diffusion led to the germanium depletion of the deposit.

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M. Pons, E. Blanquet, C. Bernard, H. Rouch, J. Dedulle, et al.. Thermochemical and Mass Transport Modelling of the Chemical Vapour Deposition of Si1-xGex. Journal de Physique IV Proceedings, 1995, 05 (C5), pp.C5-63-C5-70. ⟨10.1051/jphyscol:1995504⟩. ⟨jpa-00253760⟩

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