Des diodes lasers planars à ruban à guidage par le gain ont été préparées à partir de la double hétérostructure Ga0,77In0,23As0,20Sb0,80/Ga0,53Al0,47As0,04Sb0,96 obtenue par épitaxie en phase liquide sur substrat GaSb orienté (100). Ces diodes émettent vers 2,1 μm à 80 K en régime continu et vers 2,37 μm à 292 K en régime pulsé avec des courants de seuil proches de 265 mA à 80 K et de 4 A à température ambiante. L'analyse de la puissance spontanée émise en fonction du courant d'injection a permis à 292 K de déterminer, à faible injection, la durée de vie non radiative de recombinaison sur centres profonds τnr≈4-5 ns et à plus forte injection le coefficient de recombinaison Auger C ≈1,1 ×10-28 cm6/s. Une étude du gain optique à partir des spectres d'émission a permis de déterminer le paramètre d'élargissement de raie au seuil α= 3,8 ±1,3 à 80 K.