Annealing-related electrical and piezoresistive properties of Band As-implanted LPCVD silicon films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique III Année : 1993

Annealing-related electrical and piezoresistive properties of Band As-implanted LPCVD silicon films

P. Jeanjean
  • Fonction : Auteur
J. Sicart
  • Fonction : Auteur
J. Robert
  • Fonction : Auteur
M. Le Berre
P. Pinard
  • Fonction : Auteur
Véronique Conédéra

Résumé

We investigate the electrical properties of polycrystalline silicon thin films implanted with arsenic or boron ions. Two types of post-implantation annealing have been performed on the samples: a conventional thermal annealing (CTA) and a rapid thermal annealing (RTA). We find that RTA improves the electrical properties. Measurements of gauge factors have been carried out on both films. We conclude that RTA can be applied successfully in thin film silicon integrated sensor technology.

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Dates et versions

jpa-00248907 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

P. Jeanjean, J. Sicart, J. Robert, M. Le Berre, P. Pinard, et al.. Annealing-related electrical and piezoresistive properties of Band As-implanted LPCVD silicon films. Journal de Physique III, 1993, 3 (1), pp.47-53. ⟨10.1051/jp3:1993119⟩. ⟨jpa-00248907⟩

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