Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K
Résumé
Des doubles hétérojonctions (DH) Ga0,73AI0,27As0,02Sb0,98 (p)/Ga0,83ln0,17As0,15 Sb0,85 (p)/Ga0,73AI0,27AS0,02Sb0,98 (n) ont été obtenues par épitaxie en phase liquide sur substrat GaSb (100)n. Les propriétés confinantes de ces DH ont été analysées. Des diodes laser à guidage par le gain ont été préparées et caractérisées en température. L'émission laser a été obtenue jusqu'à 140K en régime continu et jusqu'à température ambiante en régime pulsé. La longueur d'onde d'émission est centrée vers 1,95 μm à 80K et vers2,17 μm à 298K, La puissance émise est de l'ordre du mW L'intensité de courant de seuil varie de 150 mA (80K) à 1,2 A (298K) avec une température caractéristique élevée (To ≈ 110K) . Le rendement quantique différentiel externe est de 6 à 10 % par face à 80K et de 1,5 % par face à température ambiante. Le champ émis au seuil est monolobe avec θ //≈ 11○ et θ⊥≈52○. Une modélisation du champ perpendiculaire a permis de déterminer l'indice de la couche active au seuil : nact = 3,79.
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