Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1989

Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx

F. Ducroquet
G. Guillot
A. Nouailhat
  • Fonction : Auteur
J.C. Renaud
  • Fonction : Auteur

Résumé

Deux phénomènes de dérives du courant d'obscurité sous polarisation inverse fixe sont observés sur des photodiodes PIN GaInAs/InP passivées par nitrure de silicium : 1) à température ambiante, apparaît une augmentation du courant en fonction du temps ; 2) à basse température (T < 200 K), une diminution de celui-ci. Ces dérives, entraînant des phénomènes d'hystérésis dans les caractéristiques inverses courant-tension, sont associées à des effets de surface, dus à la technique de passivation.
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Dates et versions

jpa-00246029 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

F. Ducroquet, G. Guillot, A. Nouailhat, J.C. Renaud. Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx. Revue de Physique Appliquée, 1989, 24 (1), pp.57-63. ⟨10.1051/rphysap:0198900240105700⟩. ⟨jpa-00246029⟩

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