Mécanismes de dérive du courant d'obscurité sur des photodiodes GaInAs/InP planar passivées par SiNx
Résumé
Deux phénomènes de dérives du courant d'obscurité sous polarisation inverse fixe sont observés sur des photodiodes PIN GaInAs/InP passivées par nitrure de silicium : 1) à température ambiante, apparaît une augmentation du courant en fonction du temps ; 2) à basse température (T < 200 K), une diminution de celui-ci. Ces dérives, entraînant des phénomènes d'hystérésis dans les caractéristiques inverses courant-tension, sont associées à des effets de surface, dus à la technique de passivation.
Origine : Accord explicite pour ce dépôt
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