Non-linéarités d'absorption intrabande dans les puits quantiques GaAs-AlxGa1-xAs
Résumé
Les transitions optiques entre niveaux de la bande de conduction des puits quantiques font l'objet d'études approfondies pour le développement de photodétecteurs infrarouges rapides et de nouveaux dispositifs opto-électroniques. La non-linéarité liée à la saturation de la transition d'absorption intrabande est démontrée. L'étude nous permet d'identifier les mécanismes de relaxation intrabande.
Mots clés
aluminium compounds
gallium arsenide
III V semiconductors
infrared spectra of inorganic solids
optical saturable absorption
semiconductor quantum wells
nonlinearity
semiconductor
optical transitions
infrared absorption
conduction band
quantum well
intersubband adsorption saturation
intersubband relaxation
GaAs Al sub x Ga sub 1 x As
Domaines
Articles anciens
Origine : Accord explicite pour ce dépôt
Loading...