Non-linéarités d'absorption intrabande dans les puits quantiques GaAs-AlxGa1-xAs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1989

Non-linéarités d'absorption intrabande dans les puits quantiques GaAs-AlxGa1-xAs

F.H. Julien
  • Fonction : Auteur
J.-M. Lourtioz
  • Fonction : Auteur
N. Herschkorn
  • Fonction : Auteur
D. Delacourt
  • Fonction : Auteur
J.P. Pocholle
  • Fonction : Auteur
M. Papuchon
  • Fonction : Auteur
R. Planel
  • Fonction : Auteur
G. Le Roux

Résumé

Les transitions optiques entre niveaux de la bande de conduction des puits quantiques font l'objet d'études approfondies pour le développement de photodétecteurs infrarouges rapides et de nouveaux dispositifs opto-électroniques. La non-linéarité liée à la saturation de la transition d'absorption intrabande est démontrée. L'étude nous permet d'identifier les mécanismes de relaxation intrabande.
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Dates et versions

jpa-00246026 , version 1 (04-02-2008)

Identifiants

Citer

F.H. Julien, J.-M. Lourtioz, N. Herschkorn, D. Delacourt, J.P. Pocholle, et al.. Non-linéarités d'absorption intrabande dans les puits quantiques GaAs-AlxGa1-xAs. Revue de Physique Appliquée, 1989, 24 (1), pp.37-43. ⟨10.1051/rphysap:0198900240103700⟩. ⟨jpa-00246026⟩

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