Formules analytiques pour le calcul du profil d'ions implantés
Résumé
Les deux premiers moments m1 et m2 (ou σ) décrivant le profil d'ions implantés dans un matériau cible à basse énergie peuvent maintenant être estimés à partir de formules analytiques simples. Dans cet article, nous proposons pour m1 une expression qui fait seulement intervenir la fonction exponentielle intégrale et qui est valable pour deux potentiels interatomiques différents. En ce qui concerne le calcul de σ, nous donnons deux possibilités d'inégale difficulté ; la première est une expression dans laquelle m2 s'exprime sous la forme d'un trinôme du second degré en m1 ; la deuxième, plus simple, exploite la proportionnalité qui existe entre m 1 et σ.
Origine : Accord explicite pour ce dépôt
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