A T.E.M. in situ study of dislocation glide in InSb (III-V compound)

M. Fnaiech; Alain Couret; Daniel Caillard

doi:10.1051/rphysap:01988002304066800

Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1988

A T.E.M. in situ study of dislocation glide in InSb (III-V compound)

, ,

M. Fnaiech

Fonction : Auteur

Alain Couret

Fonction : Auteur
PersonId : 18144
IdHAL : alain-couret
IdRef : 074331604

Daniel Caillard

Fonction : Auteur
PersonId : 20027
IdHAL : daniel-caillard
IdRef : 081192886

Résumé

No abstract available

Mots clés

III V semiconductors indium antimonide slip transmission electron microscope examination of materials TEM alpha dislocations beta dislocations semiconductor dislocation glide microsamples screw type dislocations InSb

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ajp-rphysap_1988_23_4_668_0.pdf (122.42 Ko)

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https://hal.science/jpa-00245817

Soumis le : lundi 4 février 2008-08:00:00

Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-13:49:48

Archivage à long terme le : lundi 10 mai 2010-16:29:00

Dates et versions

jpa-00245817 , version 1 (04-02-2008)

Identifiants

HAL Id : jpa-00245817 , version 1
DOI : 10.1051/rphysap:01988002304066800

Citer

M. Fnaiech, Alain Couret, Daniel Caillard. A T.E.M. in situ study of dislocation glide in InSb (III-V compound). Revue de Physique Appliquée, 1988, 23 (4), pp.668-668. ⟨10.1051/rphysap:01988002304066800⟩. ⟨jpa-00245817⟩

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