Les propriétés électriques de l'interface d'un oxyde natif plasma RF bicouche ont été étudiées par des mesures de capacité et de conductance en fonction de la tension de polarisation à différentes fréquences et températures. Les propriétés électriques des diodes MIS dépendent de l'origine du substrat ainsi que de la durée d'oxydation. Les caractéristiques C-V tracées à différentes fréquences et températures présentent des comportements anormaux, à savoir, un plateau en polarisation inverse et une dépendance en fonction de la fréquence et de la température dans le domaine des polarisations directes. La composition de la surface ainsi que la stoechiométrie des oxydes plasma réalisés en utilisant une cathode d'InP ou une cathode d'alumine ont été examinées par la technique XPS. Les résultats de cette analyse ont montré que la surface des oxydes est appauvrie en phosphore et enrichie en indium.