ULTRAFAST RECOVERY OF ABSORPTION SATURATION IN GaAs / AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal de Physique Colloques Année : 1987

ULTRAFAST RECOVERY OF ABSORPTION SATURATION IN GaAs / AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS

D. Hulin
  • Fonction : Auteur
M. Joffre
CV
A. Migus
  • Fonction : Auteur
J. L . Oudar
  • Fonction : Auteur
J . Dubard
  • Fonction : Auteur
F. Alexandre
  • Fonction : Auteur

Résumé

Band to band absorption in multiple quantum well structures at low temperature recovers in tens of picoseconds after its saturation by a large density of photoexcited carriers. Amplification of the spontaneous emission along the excited layers is at the origin of this short lifetime. Luminescence experiments confirm this interpretation.

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Soumis le : lundi 4 février 2008-08:00:00

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Archivage à long terme le : vendredi 30 avril 2010-23:56:16

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Dates et versions

jpa-00226761 , version 1 (04-02-2008)

Identifiants

Citer

D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J. L . Oudar, J . Dubard, et al.. ULTRAFAST RECOVERY OF ABSORPTION SATURATION IN GaAs / AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS. Journal de Physique Colloques, 1987, 48 (C5), pp.C5-267-C5-270. ⟨10.1051/jphyscol:1987557⟩. ⟨jpa-00226761⟩

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