Communication Dans Un Congrès Année : 2025

Étude des variations des caractéristiques I-V des diodes de puissance à températures cryogéniques : Influence du boîtier

Résumé

Dans cet article, nous étudions les variations des caractéristiques I-V des diodes de puissance à température ambiante (293 K) et à température cryogénique (77 K). Cette étude exploratoire se concentre sur deux phénomènes observés lors de la caractérisation à 77 K : le zigzag et l'autoéchauffement. Une approche expérimentale est utilisée pour examiner l'influence du boîtier, en comparant deux diodes, chacune dans trois boîtiers différents. Les résultats révèlent des différences significatives dans les caractéristiques I-V en fonction du boîtier, tant à température ambiante qu'à température cryogénique. L'analyse montre que l'auto-échauffement ne semble pas être le facteur principal de ces variations, bien qu'il diffère selon les boîtiers. En outre, le motif en zigzag observé à 77 K ne semble pas non plus lié au type de boîtier. D'autres possibilités, telles que la technologie des diodes ou les niveaux de tension et de courant, demeurent à étudier afin d'expliquer ces phénomènes.

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hal-05302539 , version 1 (07-10-2025)

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  • HAL Id : hal-05302539 , version 1

Citer

Yasmine Baazizi, Lauro Ferreira, Simon Meunier, Tanguy Phulpin, Loïc Quéval. Étude des variations des caractéristiques I-V des diodes de puissance à températures cryogéniques : Influence du boîtier. SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2025), Jul 2025, Toulouse, France. ⟨hal-05302539⟩
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