Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Surface study of AlGaAs/GaAs structure after ammonium sulphide (NH 4 ) 2 S chemical passivation

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Dates et versions

hal-05168280 , version 1 (22-07-2025)

Identifiants

  • HAL Id : hal-05168280 , version 1

Citer

Sylvain Febvre, Christophe Levallois, Cyril Paranthoen, Jean-Pierre Landesman, Bruno Lépine, et al.. Surface study of AlGaAs/GaAs structure after ammonium sulphide (NH 4 ) 2 S chemical passivation. Compound Semiconductor Week, CSW 2024, Jun 2024, Lund, Sweden. ⟨hal-05168280⟩
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