Electronic properties of the selenium passivated GaP(111)B surface: Towards growth of large scale quasi-van der Waals 2D/3D heterostructure
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Soumis le : jeudi 20 novembre 2025-12:24:05
Dernière modification le : lundi 23 mars 2026-09:10:02