Article Dans Une Revue Physical Review Materials Année : 2025

Electronic properties of the selenium passivated GaP(111)B surface: Towards growth of large scale quasi-van der Waals 2D/3D heterostructure

Fichier principal
Vignette du fichier
revised_manuscript_MD10421.pdf (1.7 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence

Dates et versions

hal-05165772 , version 1 (20-11-2025)

Licence

Identifiants

Citer

Niels Chapuis, Corentin Sthioul, Aymen Mahmoudi, Meryem Bouaziz, Christophe Coinon, et al.. Electronic properties of the selenium passivated GaP(111)B surface: Towards growth of large scale quasi-van der Waals 2D/3D heterostructure. Physical Review Materials, 2025, 9 (7), pp.074002. ⟨10.1103/pv8b-89gg⟩. ⟨hal-05165772⟩
520 Consultations
155 Téléchargements

Altmetric

Partager

  • More