Communication Dans Un Congrès Année : 2025

Dual-Comb generation in III-V semiconductor external cavity laser: Dual transverse modes versus degenerated cavities solutions

Résumé

We developed two passively mode-locked dual frequency-combs configurations based on III-V semiconductor VECSEL technology. Operating at a wavelength of 1.06 µm, both configurations achieve 1 GHz repetition rate with ultrashort pulse durations <5 ps. The first configuration is a dual Laguerre-Gaussian (LG) mode oscillator, designed to generate two distinct frequency combs on a single optical axis. The second configuration is a modeless self-imaging cavity, featuring two distinct optical axes in a telecentric configuration to enable coherent dual-comb operation.

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hal-05165553 , version 1 (16-07-2025)

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  • HAL Id : hal-05165553 , version 1

Citer

Mohamed Nadrani, Baptiste Chomet, Adrian Bartolo, Nathan Vigne, Luc Le Gratiet, et al.. Dual-Comb generation in III-V semiconductor external cavity laser: Dual transverse modes versus degenerated cavities solutions. Journées Nationales d'Optique Guidée (JNOG 2025), Société Française d'Optique, Jul 2025, Sète, France. ⟨hal-05165553⟩
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