Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2025

Preliminary results on industrial 28nm FD-SOI phase change memory at cryogenic temperature

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Dates et versions

hal-05149315 , version 1 (07-07-2025)

Identifiants

Citer

Philippe Galy, Joao Henrique Quintino Palhares, Lorena Anghel, Yann Beilliard, Fabien Alibart, et al.. Preliminary results on industrial 28nm FD-SOI phase change memory at cryogenic temperature. Solid-State Electronics, 2025, 228, pp.109141. ⟨10.1016/j.sse.2025.109141⟩. ⟨hal-05149315⟩
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