Use of the photoluminescence intensity variation as an in-situ probe for electrochemical copper deposition on a p-type GaAs electrode
Résumé
Photoluminescence was used as an in-situ method for following the electrodeposition of copper on p-type GaAs electrodes from a 0.5 M H2SO4 solution containing Cu(II) sulphate. The method appeared to be very sensitive to copper coating and to be able to detect a copper amount of the monolayer range. Moreover, during anodic polarisation of the metallised electrode, photoluminescence measurements showed the complete dissolution of the copper layer. In-situ photoluminescence measurements were confirmed by ex-situ analyses at different stages of the electrochemical treatment of the GaAs electrode.
La spectrométrie de photoluminescence est utilisée dans ce travail comme méthode in situ pour suivre la formation sur une électrode de GaAs de type p d'un dépôt de cuivre par voie électrochimique, à partir d'une solution 0,5 M H2SO4 contenant du sulfate de cuivre. La méthode s'avère très sensible au dépôt de cuivre et est capable de détecter une quantité de métal de l'ordre de la monocouche. En outre, au cours de la polarisation anodique d'une électrode métallisée, elle permet de conclure à la redissolution totale du dépôt de cuivre. Les résultats obtenus par les mesures in situ de photoluminescence ont pu être confirmés par des analyses XPS ex situ.