Structure de gate driver innovante à temps de propagation contrant intégrant une barrière d'isolation pour la mise en parallèle de modules SiC
Résumé
La connexion en parallèle des transistors de puissance est une approche répandue pour accroître la capacité en courant des systèmes de conversion. Les récentes avancées concernant les composants large bande offrent de nouvelles possibilités mais imposent de relever de nouveaux challenges. Lorsque ces composants sont connectés en parallèle, il est alors nécessaire de synchroniser leur commande. Le décalage entre les tensions de grille dû aux différences entre les gate drivers est l’une des causes du déséquilibre des courants de puissance. Cet article présente une nouvelle structure de gate driver conçue pour assurer la synchronisation de huit modules SiC en parallèle. Il répond également à la problématique d’oscillations de la boucle de grille formée par la connexion des transistors. Des mesures rigoureuses sont effectuées pour étudier les performances d’une barrière d’isolation à faible gigue et le comportement du gate driver à différentes températures. Aussi, les temps de propagation de quatre gate drivers sont comparés. Les résultats démontrent une gigue inférieure à 2 ns sur la tension de la grille, soulignant l’efficacité de la solution proposée.